回到1987年做科技大亨

　　伤，良品率低，成本高，不适合大规模生产。

　　现在几乎没人用了。

　　接近式曝光，虽然不触碰晶圆片，没有损伤，良品率也高。但接近式曝光也有自己的问题，就是有光线衍射问题，光线衍射以后分辨率低。想要提高良品率，只能损失分辨率。

　　生产处的芯片精度太差自然也没人用了。

　　投影式曝光会在掩膜版和光刻胶之间使用透镜聚光来提高分辨率。

　　所以投影式曝光工艺是眼下芯片加工的主要工艺。

　　不过投影式曝光只是大方向。

　　下面还有不同的加工工艺分支。

　　如进步式、扫描式、离轴同轴等等……

　　其实芯片制造的难点就在这些加工工艺上了。

　　不同的加工工艺代表了不同的生产速度和良品率。

　　生产效率自然不可同日而语。

　　而国内的光刻机之前的光源技术还停留在一代的水平。

　　虽然曝光工艺也是投影式，但曝光工艺落后，生产速度和效率不行。

　　而苏翰说的突破，分三个层面，一个是光源上的突破，一个就是曝光工艺上的突破,还有各种生产材料上的突破。

　　以前的国产光刻机是一代G光源。

　　经过一年多的辛苦研发。

　　终于突破到了二代I光源。

　　毕竟这会的光刻机光源技术还没有未来那么变态。

　　只要钱到位突破起来还是有可能的。

　　制约芯片生产主要是投影式曝光的工艺流程。

　　苏翰对光刻机的相关知识其实了解的并不多，但他知道很多芯片设计图纸,其实从这些图纸上他就能推算出对方的工艺顺序到底是什么。

　　毕竟他是精通芯片设计的，只是不精通设备生产和制造而已。

　　不过有了工艺顺序，起码有个模糊的答案。

　　虽然答案并不能保证百分之百准确。

　　但苏翰并不是要百分之百准确的答案。

　　百分之百准确不是抄袭别人了吗。

　　这样容易惹起知识产权的纠纷。

　　苏翰只是给光刻机生产团队一个工艺思路，剩下的就叫光刻机生产团队自己去想办法。